Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB100N03S2-03 G
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB100N03S2
SPB100N03S2-03 G Hakkında
SPB100N03S2-03 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 3mΩ (10V, 80A) on-resistance değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate kapasitansı (Ciss) 7020pF ve gate yükü (Qg) 150nC olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 300W güç dağıtabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok