Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB08P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB08P06PGA
SPB08P06PGATMA1 Hakkında
SPB08P06PGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source geriliminde 8.8A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 300mΩ On-Resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve ticari uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Hızlı anahtarlama ve düşük gate şarjı (13nC) karakteristiği sayesinde yüksek frekanslı devrelerde uygulanabilir. Ürün statüsü üretim dışıdır; mevcut tasarımlar için alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 6.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok