Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB08P06P
SPB08P06P Hakkında
SPB08P06P, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 300mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen SPB08P06P, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve pil yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum ±20V gate gerilimi ve 4V gate threshold gerilimi ile kontrol kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 6.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok