Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB07N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB07N60C3
SPB07N60C3ATMA1 Hakkında
SPB07N60C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 7.3A sürekli dren akımı kapasitesi ve 600mOhm maksimum Rds(on) değeri ile yüksek gerilim güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu transistör, endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 83W güç yayabilme kapasitesine sahip olan komponent, hassas geçiş özellikleri sayesinde verimli anahtarlama işlemleri sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok