Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB04N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB04N60S5ATMA1
SPB04N60S5ATMA1 Hakkında
SPB04N60S5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 4.5A drain akımı ve TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. 950mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliğini destekler. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir ve 50W güç dağıtabilir. Düşük gate charge (22.9nC) sayesinde sürücü devrelerinde minimal yük oluşturur. İnverterler, konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok