Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB04N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB04N60C3
SPB04N60C3ATMA1 Hakkında
SPB04N60C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4.5A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yapar. 950mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile enerji tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır ve maksimum 50W güç tüketebilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında kullanılan bu transistör, 10V gate sürücü gerilimi ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok