Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB03N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB03N60S5
SPB03N60S5ATMA1 Hakkında
SPB03N60S5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.2A sürekli dren akımı ve 1.4Ω maksimum Rds(on) değeri ile tasarlanmıştır. 16 nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 38W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücü devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. ±20V gate voltajı ile geniş kontrol alanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 135µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok