Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB03N60C3E3045
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB03N60C3
SPB03N60C3E3045 Hakkında
SPB03N60C3E3045, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 3.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω maksimum on-state direnci (RDS(on)) ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. SMPS (Switch Mode Power Supplies), motor sürücüleri, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç denetim devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 38W maksimum güç uygulanabilen bu bileşen, 17nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon olanağı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok