Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB03N60C3
SPB03N60C3ATMA1 Hakkında
SPB03N60C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.2A sürekli drenaj akımı ve 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 17nC gate charge ve 400pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur. Yüksek voltaj endüstriyel denetim devreleri, güç kaynakları, DC-DC konverterler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığına ve ±20V gate-source voltaj toleransına sahiptir. Maksimum 38W güç dağılım kapasitesi bulunmaktadır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok