Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB03N60C3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB03N60C3
SPB03N60C3 Hakkında
SPB03N60C3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli akım kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Gate charge 17nC olup hızlı anahtarlama performansı için optimize edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, elektrik panoları, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 38W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile güç elektronik tasarımlarında güvenilir bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok