Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB02N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB02N60S5A
SPB02N60S5ATMA1 Hakkında
SPB02N60S5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörtür. TO-263 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 1.8A sürekli dren akımı ve 3Ω maksimum Rds(On) değeri ile orta güç uygulamalarda kullanılır. 9.5nC gate charge ve 240pF input kapasitans özellikleri, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarımı gösterir. Güç kaynağı kontrol devreleri, motor kontrol uygulamaları, AC/DC konverterler ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Not: Bu ürün production sonlandırılmış (Obsolete) status'undadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok