Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPB02N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPB02N60C3
SPB02N60C3ATMA1 Hakkında
SPB02N60C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, sürekli 1.8A drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 3Ohm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıpları minimize edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve yüksek voltaj toleransı nedeniyle endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate charge (12.5nC) sayesinde hızlı anahtarlama davranışı sağlar. NOT: Bu ürün kullanımdan kaldırıldı (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok