Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPA21N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPA21N50C3
SPA21N50C3XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPA21N50C3XKSA1, 560V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 21A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 190mΩ (10V, 13.1A koşullarında) on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, anahtarlama kaynakları, endüstriyel invertörler ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 34.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-31 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok