Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPA21N50C3XKSA1
HIGH POWER_LEGACY
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPA21N50C3
SPA21N50C3XKSA1 Hakkında
SPA21N50C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek güç N-Channel MOSFET transistörüdür. 560V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketlemesinde sağlanan bu transistör, 190mΩ maksimum kapalı durumda direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 34.5W güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel kontrol devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supplies) ve motor sürücü uygulamalarına uygundur. 10V gate sürüş gerilimi ve 3.9V eşik gerilimi ile standart kontrol elektronikleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-31 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok