Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPA11N80C3XKSA2
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Isolated Tab
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPA11N80C3
SPA11N80C3XKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPA11N80C3XKSA2, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ve 450mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 85nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok