Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPA11N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SPA11N60C3

SPA11N60C3XKSA1 Hakkında

SPA11N60C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 11A sürekli Drain akımı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 380mOhm maksimum On-State direncine sahip transistör, düşük ısı kaybı ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir performans gösteren bu MOSFET, yüksek güç disipasyonu gerektiren devrelerde ekonomik bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok