Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPA08N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPA08N50C3
SPA08N50C3XKSA1 Hakkında
SPA08N50C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 560V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 10V gate sürücü geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 32W maksimum güç tüketimi ile güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama regülatörlerinde uygulanır. 32nC gate charge ve 750pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-31 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok