Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPA07N65C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SPA07N65C3

SPA07N65C3XKSA1 Hakkında

SPA07N65C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilim ve 7.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 600mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde monolitik yapıdadır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel inverter tasarımlarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlar. 32W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 350µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok