Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPA07N60CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SPA07N60CFD

SPA07N60CFDXKSA1 Hakkında

SPA07N60CFDXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim (Vdss) ve 6.6A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 Full Pack paketinde sağlanan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri, endüstriyel sürücüler ve elektrik sistemi yönetimi gibi uygulamalarda yer bulur. 700mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kayıplarında çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate charge (Qg) 47nC@10V olup hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün güncel üretimde bulunmamaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 300µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok