Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPA07N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SPA07N60C3

SPA07N60C3XKSA1 Hakkında

SPA07N60C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V yüksek gerilim N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7.3A sürekli dren akımı ve 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 27nC kapı yükü ve 790pF giriş kapasitesi ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 32W güç dağıtabilme kapasitesi ile power conversion, motor kontrol ve sürücü devrelerinde uygulanır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 3.9V threshold gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok