Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPA06N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SPA06N60C3

SPA06N60C3XKSA1 Hakkında

SPA06N60C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6.2A maksimum sürekli dren akımı ve 750mΩ RDS(on) değeri ile sınıflandırılmıştır. 31nC gate charge ve 620pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun tasarım sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, AC/DC ve DC/DC power supplies, LED sürücüleri ve solar inverterler gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 3.9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 260µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok