Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPA03N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SPA03N60C3

SPA03N60C3XKSA1 Hakkında

SPA03N60C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 3.2A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.4Ω maksimum kanal direnci ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, inverterler ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 29.7W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 17nC gate charge ve 400pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 3.9V threshold voltajı ile kontrol devreleri tasarımına kolaylık sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 29.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 135µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok