Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SP001434884
IPN60R1K0CEATMA1 - MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPN60R1K0CEATMA1
SP001434884 Hakkında
SP001434884, Rochester Electronics tarafından üretilen IPN60R1K0CEATMA1 N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source voltajı ile güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 6.8A sürekli drenaj akımı ve 1Ohm maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. TO-261-3 (PG-SOT223) SMD paketinde sunulan komponent, -40°C ile 150°C arasında çalışır. 10V gate sürme voltajında 13nC gate yükü ve 280pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. İnverter, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC konvertör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok