Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SN7002N E6433

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SN7002N

SN7002N E6433 Hakkında

SN7002N E6433, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 200mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 5Ω maksimum on-resistance (10V, 500mA) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. SOT-23-3 (TO-236) paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarında kullanılır. Kapı eşik gerilimi 1.8V olup ±20V gate gerilim aralığında çalışır. -55°C ile 150°C arası sıcaklık ortamında güvenilir operasyon sunar. Tüketici elektroniği, IoT cihazları, düşük güç anahtarlama devreleri ve sinyal kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 360mW maksimum güç tüketimi ile pil destekli sistemler için uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 26µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok