Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SKI10123

MOSFET N-CH 100V 66A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SKI10123

SKI10123 Hakkında

SKI10123, Sanken Electric tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile 66A sürekli drenaj akımı (Id @ 25°C) kapasitesine sahiptir. 11.6mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 10V gate sürücü geriliminde çalışır, 88.8nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 135W güç yayabilen bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, PWM uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi düşük-orta güç uygulamalarında kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6420 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package TO-263
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok