Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SK8603190L

MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
SK8603190L

SK8603190L Hakkında

SK8603190L, Panasonic tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A (Ta) / 19A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerSMD/HSO8-F4-B yüzey montaj paketi ile sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 10mΩ maksimum drain-source direnci (10V Vgs, 8A Id'de), 6.3nC gate charge ve 1092pF input kapasitesi teknik özellikleri ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 19W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1092 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerSMD, Flat Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package HSO8-F4-B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1.01mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok