Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIUD412ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 0806
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIUD412ED
SIUD412ED-T1-GE3 Hakkında
SIUD412ED-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, PowerPAK 0806 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate geriliminde 340mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 1.25W güç tüketim kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesinde kullanılabilir. Düşük gate charge (0.71nC) ve input capacitance (21pF) değerleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.71 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 0806 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 0806 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok