Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIUD406ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 0806
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIUD406ED
SIUD406ED-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIUD406ED-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı ile çalışır. PowerPAK® 0806 yüzey montajlı paket içinde sunulur. 1.46Ohm maksimum kapalı durumda direnç değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 0.6nC gate charge ve 17pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Güç yönetimi, anahtarlamayı kontrol eden uygulamalar, dijital logic devreleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 0806 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 0806 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok