Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIUD402ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 0806
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIUD402ED
SIUD402ED-T1-GE3 Hakkında
SIUD402ED-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 1A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 0806 yüzey montajlı paketlemesi, kompakt devre tasarımları için uygun boyutlar sağlar. 730mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında, 1.25W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilir. Düşük gate charge (1.2nC) hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren devreler için avantajlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 0806 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 0806 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok