Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS98DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS98DN
SISS98DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SISS98DN-T1-GE3, 200V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistörüdür. 14.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 57W maksimum güç dağıtımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 105mOhm (10V, 7A) düşük on-state direnci sayesinde enerji verimliliği sağlar. Surface mount PowerPAK® 1212-8 paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Switching regülatörleri, DC-DC dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 4V kapı eşik gerilimi ile hızlı komütasyon özelliği gösterir ve 14nC gate charge değeri ile düşük sürücü gereksinimlerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 7.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 608 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok