Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS94DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS94DN
SISS94DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SISS94DN-T1-GE3, 200V drain-source voltaj kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 5.4A sürekli drenaj akımı ve 10V gate voltajında 75mΩ on-resistance karakteristikleri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8S yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, enerji dönüştürücü ve koruma devrelerinde yaygın olarak yer alır. 21nC gate charge ve 350pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda verimli performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Ta), 19.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok