Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS92DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS92DN
SISS92DN-T1-GE3 Hakkında
SISS92DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilimi ile 3.4A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) ve 12.3A (Tc=25°C) kapasitesinde çalışır. PowerPAK® 1212-8S yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 173mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate Charge 16nC (10V) olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve maksimum 65.8W güç tüketimi (Tc=25°C) ile çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve ac-dc dönüştürücü devreleri gibi çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta), 12.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 125 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 173mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok