Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS80DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS80DN
SISS80DN-T1-GE3 Hakkında
SISS80DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ile tasarlanan bu bileşen, 25°C'de 58.3A, Tc'de 210A'e kadar sürekli drenaj akımı sunmaktadır. PowerPAK 1212-8S yüzey monte paketi içinde barındırılan MOSFET, düşük açık durumu direnişi (Rds On) olan 0.92mΩ @ 10V ile güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yüksek akım anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 122nC gate charge ve 6450pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı ve düşük sürücü gereksinimleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58.3A (Ta), 210A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.92mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +12V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok