Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS78LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS78LDN
SISS78LDN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS78LDN-T1-GE3, N-channel MOSFET transistörü olup 70V drain-source voltajında 19.4A sürekli akım (Ta) ve 66.7A ani akım (Tc) kapasitesine sahiptir. PowerPAK 1212-8SH yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında düşük kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 4.8W (Ta) / 57W (Tc) güç dağıtabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 50nC gate charge ve 2280pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.4A (Ta), 66.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2280 pF @ 35 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok