Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS76LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS76LDN
SISS76LDN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS76LDN-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistör olup 70V drain-source gerilim kapasitesine sahiptir. 25°C'de 19.6A sürekli dren akımı ve 67.4A (Tc) sağlayan bu bileşen, düşük on-state direnç (Rds On: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V) ile verimli güç iletimini destekler. PowerPAK 1212-8SH yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olup, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürme uygulamaları ve yüksek akım ihtiyaçlı endüstriyel sistemlerde kullanılır. 4.8W (Ta) / 57W (Tc) güç dağılım kapasitesi ve 33.5nC maksimum gate yükü ile kontrol kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 35 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.25mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok