Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS73DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS73DN
SISS73DN-T1-GE3 Hakkında
SISS73DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 4.4A sürekli drenaj akımı ve 65.8W güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. PowerPAK 1212-8S yüzey montajlı paketi kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, 125mOhm maksimum drain-source direnç (Rds On @ 10V, 10A) ile düşük kayıplar sağlar. 22nC gate şarjı hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta), 16.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 719 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok