Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS72DN
SISS72DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS72DN-T1-GE3, 150V Drain-Source voltajına sahip N-Channel MOSFET transistördür. 7A sürekli dren akımı (Ta) ve 25.5A pik dren akımı (Tc) kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 42mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. PowerPAK® 1212-8S yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 22nC gate charge ve 550pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç anahtarı uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta), 25.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok