Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS71DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS71DN
SISS71DN-T1-GE3 Hakkında
SISS71DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi, 23A sürekli drain akımı ve 59mΩ (10V, 5A'de) on-state direnci ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8S yüzey montaj paketinde sunulan bu FET, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC konvertörler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı ve 57W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok