Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS70DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS70DN
SISS70DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SISS70DN-T1-GE3, N-channel yapıda bir MOSFET transistördür. 125V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli drenaj akımı (Ta@25°C) ile specifications sunar. PowerPAK 1212-8S yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 29.8mOhm drain-source on-direnci (Rds On) ve düşük kapı yükü (15.3nC) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans gösterir. Motor kontrol, güç dönüştürme devreleri, röle sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. ±20V gate gerilimi toleransı ve 4.5V threshold gerilimi (Vgs@250µA) ile güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta), 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 125 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 62.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29.8mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok