Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS67DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS67DN
SISS67DN-T1-GE3 Hakkında
SISS67DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8S yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji yönetimi ve batarya uygulamalarında kullanılır. 111nC gate charge ve 4380pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4380 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok