Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS65DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS65DN
SISS65DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS65DN-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 25.9A sürekli drain akımı (Ta 25°C'de) ile tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8S yüzey monte paketi içinde sunulur. 4.6mOhm maksimum RDS(on) değeri (10V, 15A'de) ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 138nC gate charge ve 4930pF giriş kapasitansi özellikleri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.9A (Ta), 94A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4930 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok