Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS63DN
SISS63DN-T1-GE3 Hakkında
SISS63DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 35.1A sürekli drenaj akımı ile hassas anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.7mΩ düşük on-direnç değeri ile batarya yönetim sistemleri, güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler ve motor kontrol devrelerinde yüksek verimlilik sağlar. PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygun. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 65.8W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 236 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7080 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok