Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS61DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS61DN
SISS61DN-T1-GE3 Hakkında
SISS61DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış olup, 25°C'de 30.9A, Tj ölçümünde 111.9A sürekli drenaj akımı sağlar. 3.5mOhm (4.5V Vgs'de) ile düşük üzerinde dirençe (RDS on) sahiptir. PowerPAK 1212-8S yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, LED sürücüsü ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 231nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 65.8W maksimum güç harcaması (Tc'de) endüstriyel ve tüketici uygulamalarında geniş kullanım alanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 231 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8740 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok