Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS60DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS60DN
SISS60DN-T1-GE3 Hakkında
SISS60DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50.1A sürekli drenaj akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8S SMD paketinde sunulan bu bileşen, 1.31mΩ maksimum on-direnci ve entegre Schottky body diyotuna sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve DC-DC konverterlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 4.5V ve 10V gate sürücü gerilimlerinde çalışabilir ve 85.5nC gate yükü karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3960 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.31mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok