Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS588DN-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS588DN
SISS588DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS588DN-T1-GE3, 80V drain-source voltajında çalışan N-Channel güç MOSFET transistörüdür. PowerPAK 1212-8S yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 16.9A (Ta) ile 58.1A (Tc) arasında sürekli drenaj akımı sağlar. Maksimum 8mOhm (10A, 10V) On-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlayan transistör, 4.8W (Ta) ile 56.8W (Tc) güç dağıtabilir. ±20V maksimum gate voltajı ile çalışır ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklıkları destekler. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok