Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS54DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS54DN
SISS54DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS54DN-T1-GE3, 30V drain-source voltajı ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 51.1A sürekli dren akımı (Ta) ve 185.6A (Tc) kapasitesine sahiptir. 1.06mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve verimli güç yönetimine olanak tanır. PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüşüm devreleri, motor kontrolü ve yüksek akım anahtarlama gerektiren endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51.1A (Ta), 185.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3450 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.06mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok