Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS52DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS52DN
SISS52DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS52DN-T1-GE3, N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında, 47.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. 1.2mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK® 1212-8SH yüzey montaj paketinde gelmektedir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Güç kaynakları, motor sürücüleri, LED kontrolü ve diğer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47.1A (Ta), 162A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok