Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS50DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS50DN
SISS50DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS50DN-T1-GE3, 45V drain-source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 108A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Düşük 2.83mΩ on-state direnci (RDS(on)) ile enerji kaybını minimize eder. PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunmakta, 70nC gate charge ile hızlı anahtarlama sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29.7A (Ta), 108A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.83mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok