Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS46DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS46DN
SISS46DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS46DN-T1-GE3, 100V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli drenaj akımı 45.3A (Tc) ve maksimum güç tüketimi 65.7W (Tc) kapasitesine sahiptir. 12.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliği taşır. PowerPAK 1212-8S yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörleri gibi yüksek akım uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta), 45.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2140 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok