Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS42LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS42LDN
SISS42LDN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS42LDN-T1-GE3, N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 11.3A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ile tasarlanmıştır. 39A akım kapasitesi (Tc) sayesinde yüksek güç uygulamalarında kullanılabilir. 14.9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. PowerPAK® 1212-8S paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 2.5V gate threshold gerilimi ile düşük drivingisteme sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Ta), 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2058 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok